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参数资料
| 型号： | 1N4148-T |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 描述： | DIODE SWITCHING 75V 500MW DO-35 |
| 其它图纸： | DO-35 Side |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 150mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4148CT 1N4148CT-ND 1N4148DICT |
1N4148 / 1N4448
Document number: DS12019 Rev. 7 - 2
1 of 2
www.diodes.com
March 2008
? Diodes Incorporated
1N4148 / 1N4448
FAST SWITCHING DIODE
Features
?
Fast Switching Speed
?
General Purpose Rectification
?
Silicon Epitaxial Planar Construction
?
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)
Mechanical Data
?
Case: DO-35
?
Case Material: Glass
?
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
?
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
?
Terminals: Finish ?
Sn96.5Ag3.5. Solderable per MIL-STD-
202, Method 208
?
Polarity: Cathode Band
?
Marking: Type Number
?
Ordering Information: See Page 2
?
Weight: 0.13 grams (approximate)
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
1N4148
1N4448
Unit
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRM
100
V
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
75
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
53
V
Forward Continuous Current (Note 1)
IFM
300
500
mA
Average Rectified Output Current (Note 1)
IO
150
mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s
@ t = 1.0
μs
IFSM
1.0
2.0
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 1)
Derate Above 25°C
PD
500
1.68
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RθJA
300
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-65 to +175
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
Maximum Forward Voltage 1N4148
1N4448
1N4448
VFM
?
0.62
?
1.0
0.72
1.0
V
IF
= 10mA
IF
= 5.0mA
IF
= 100mA
Maximum Peak Reverse Current
IRM
?
5.0
50
30
25
μA
μA
μA
nA
VR
= 75V
VR
= 70V, T
J
= 150
°C
VR
= 20V, T
J
= 150
°C
VR
= 20V
Total Capacitance
CT
?
4.0
pF
VR
= 0, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
4.0
ns
IF
= 10mA to I
R
=1.0mA
VR = 6.0V, RL
= 100
Ω
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. EC Directive 2002/95/EC (RoHS) revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied where applicable,
see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4148W-13-F | DIODE 100V 150MA SOD123 |
| 1N4148WT-7 | DIODE SWITCH 100V 150MW SOD-523 |
| 1N4149TR | DIODE SGL JUNCT 100V 4.0NS DO-35 |
| 1N4448HLP-7 | DIODE SW GP 80V 250MW 2-DFN |
| 1N4448HWS-7-F | DIODE SWITCH 80V 200MW SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4148T&R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| 1N4148T/R | 制造商:Yageo / Phycomp 功能描述:Rectifier Diode, 75 Volt, DO-35 |
| 1N4148-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 75V 0.15A 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N4148-T26A | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N4148 标准包装:1 |
| 1N4148-T50A | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N4148 标准包装:1 |
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