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参数资料
型号： 1N4148T26A
厂商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述： 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数： 1/2页
文件大小： 148K
代理商： 1N4148T26A
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PDF描述
1N3595TR-RECU 0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N3595TR-RMCU 0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N485BTR 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N3595US 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N3611BK 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4148-T26A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N4148 标准包装:1
1N4148-T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N4148 标准包装:1
1N4148-T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大） 基本零件编号:1N4148 标准包装:1
1N4148T-72 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SW 100V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4148T-72INVALID 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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