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参数资料
| 型号： | 1N4150 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 1N4150 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N2989B | 30 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
| 1N2989RB | 30 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
| 1N5522D | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| 1N3326B | 36 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5633COX.120 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4150 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4150 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
| 1N4150 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SILICON DIODES 300MA |
| 1N4150 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO |
| 1N4150.TR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
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