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参数资料
| 型号： | 1N4150FV |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1N4150FV |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4150HL | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4150VE | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4150VH | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4150VM | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4151HE | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4150-T | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:500mW SWITCHING DIODE, DO35 GLASS |
| 1N4150T&R | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述: |
| 1N4150-T/R | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIGNAL 50V DO-35 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 50V, DO-35 |
| 1N4150T-72 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 200MA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4150T-77 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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