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参数资料
| 型号： | 1N4150T26R |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 1N4150T26R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4150 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4151S | 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4151-T | 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4154-T | 0.15 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4454-T | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4150T-72 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 200MA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4150T-77 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4150TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/50V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4150-TAP | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIGNAL 0.15A 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE, 50V, 150mA, DO-35; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:50V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A ;RoHS Compliant: Yes |
| 1N4150-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Micro Commercial Components 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R |
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