型号: | 1N4151WS-V-GS08 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 83K |
代理商: | 1N4151WS-V-GS08 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N4245 | Passivated Rectifier |
1N4246 | Passivated Rectifier |
1N4247 | Passivated Rectifier |
1N4248 | Passivated Rectifier |
1N4249 | Passivated Rectifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N4151WS-V-GS18 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4151W-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
1N4151W-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
1N4151W-V-GS08 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N4151W-V-GS18 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |