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参数资料
| 型号： | 1N4154 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.1 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | 1N4154 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4151 | 0.1 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N486BR | 0.15 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4149X | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N914R | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N3070 | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4154 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4154_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4154_T50R | 功能描述:整流器 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4154TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/35v Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4154TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/35v Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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