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参数资料
| 型号： | 1N4371 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 2.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 封装： | DO-7, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 359K |
| 代理商： | 1N4371 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N754 | 6.8 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N4448W | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4448W | 0.25 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4587 | GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
| 1N4596R | GENERAL PURPOSE RECTIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4371-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES |
| 1N4371A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4371A_T50A | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4371A_T50R | 功能描述:稳压二极管 Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4371A-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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