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参数资料
| 型号： | 1N4444BK |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 1N4444BK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N459ATR | 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N192BK | 0.05 A, 70 V, GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1.5CE18CABK | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 15KP110CB-2 | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 15KP160CT-2 | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4446 | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4446 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 20mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:10,000 |
| 1N4446 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode |
| 1N4446_Q | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4446_T50R | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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