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参数资料
| 型号： | 1N4447 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 1N4447 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5148C | 47 pF, 65 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5709C | 82 pF, 65 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N5444C | 12 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1.5KE200C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KE75C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4447 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODE, 100V, DO-34 |
| 1N4447_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| 1N4447_T50R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Single Junction 75V 4ns Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4447TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Single Junction 100V 4ns Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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