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参数资料
| 型号： | 1N4447T-11A |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 1N4447T-11A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4447T-11 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4449T-73 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4449T-84 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4450T-15A | 0.2 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4450T-16A | 0.2 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4447TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Single Junction 100V 4ns Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4448 A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4448 R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述: |
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