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参数资料
| 型号： | 1N4448_T26A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带盒（TB） |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 1
April 2013
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IO
Average Rectified Forward Current 200 mA
IF
DC Forward Current 300 mA
If
Recurrent Peak Forward Current 400 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 s 1.0 A
Pulse Width = 1.0 μs4.0 A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter
Max.
Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
LL-34
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
LL-34 COLOR BAND MARKING
DEVICE
1ST BAND
DO-35
FDLL914 BLACK
FDLL914A BLACK
FDLL914B BLACK
FDLL4148 BLACK
Cathode is denoted with a black band
FDLL4448 BLACK
-1st band denotes cathode terminal
and has wider width
SOD80
Cathode Band
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9021AIRUBZ-T | IC REG LDO 1.5V .25A 6UTDFN |
| S220J33SL0R63L7R | CAP CER 22PF 3KV 5% RADIAL |
| R2S-243.3/H | CONV DC/DC 2W 24VIN 3.3VOUT |
| ISL9000AIRMGZ-T | IC REG LDO 3V/2.7V .3A 10-DFN |
| T86C155K050EAAS | CAP TANT 1.5UF 50V 10% 2312 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4448T-72 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448T-77 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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