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参数资料
| 型号： | 1N4448 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 131K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 100V DO-35 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Marking Format Change 15/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1N4448-ND 1N4448FS |
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 — Small Signal Diode
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448 Rev. 1.1.1 1
April 2013
1N/FDLL 914A/B / 916/A/B / 4148 / 4448
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings(1)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IO
Average Rectified Forward Current 200 mA
IF
DC Forward Current 300 mA
If
Recurrent Peak Forward Current 400 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 s 1.0 A
Pulse Width = 1.0 μs4.0 A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter
Max.
Units
1N/FDLL 914/A/B / 4148 / 4448
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
LL-34
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
LL-34 COLOR BAND MARKING
DEVICE
1ST BAND
DO-35
FDLL914 BLACK
FDLL914A BLACK
FDLL914B BLACK
FDLL4148 BLACK
Cathode is denoted with a black band
FDLL4448 BLACK
-1st band denotes cathode terminal
and has wider width
SOD80
Cathode Band
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4448 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4448 A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4448 R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述: |
| 1N4448 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
| 1N4448,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 HI SPEED DO-35 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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