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参数资料
| 型号： | 1N4448HLP-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 89K |
| 描述： | DIODE SW GP 80V 250MW 2-DFN |
| 产品目录绘图： | DFN1006-2 Side DFN1006-2 Bottom |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 125mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 80V |
| 电容@ Vr, F： | 3pF @ 0.5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DFN1006（1.0x0.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1597 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4448HLPDIDKR |
1N4448HLP
Document number: DS30590 Rev. 12 - 2
3 of 5
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
1N4448HLP
0
50
100
0 25 50 75 100 125 150
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve
150
200
250
300
0
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.010102030405060708090100
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(nA)
R
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
T = -55°CA
T = 0°CA
T = 25°CA
T = 50°CA
T = 85°CA
T = 100°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
0.01012 3 45
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 4 Typical Reverse Characteristics - Low Bias
I , INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(nA)
R
T = -55°CA
T = 0°CA
T = 25°CA
T = 50°CA
T = 85°CA
T = 100°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
0
0
1101000468210
I , FORWARD CURRENT (mA)F
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Fig. 5 Typical Total Capacitance vs. Reverse Voltage
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f = 1MHz
Fig. 6 Typical Reverse Recovery Time vs. Forward Current
t,
R
EVE
R
SE
R
E
C
O
VE
R
Y
T
IME (nS)
rr
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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