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参数资料
| 型号： | 1N4448T-85 |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 1N4448T-85 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N916T-88 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1S2471T-16A | 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS132T-73 | 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 1SS142T-16A | 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS142T-72 | 0.2 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4448TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-TAP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448TR | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/75V Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448-TR | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Small Signal Switching 100V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE 100V 150mA DO-35 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE, 100V, 150mA, DO-35; Diode Type:Switching; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:100V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:8ns; Forward Surge Current Ifsm Max:2A ;RoHS Compliant: Yes |
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