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参数资料
| 型号： | 1N4448WT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 175K |
| 描述： | DIODE 75V 200MA SOD523F |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523F |
| 供应商设备封装： | SOD-523F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 1N4448WTDKR |
 1N4148WT / 1N4448WT / 1N 914BWT — High Conductanc e Fast Switching Diode ? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com 1N4148WT / 1N4448WT / 1N914BWT Rev. A2 1 September 2009 1N4148WT / 1N4448WT / 1N914BWT High Conductance Fast Switching Diode Features ? Fast Switching Diode (Trr <4.0nsec) ? Flat Lead, Surface Mount Device Under 0.70mm Height ? Extremely Small Outline Plastic Package SOD523F ? Moisture Level Sensitivity 1 ? Pb-free Version and RoHS Compliant ? Matte Tin (Sn) Lead Finish ? Green Mold Compound Absolute Maximum Ratings* TA=25°C unless otherwise noted * These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Thermal Characteristics * Device mounted on FR-4 PCB minimum land pad. Electrical Characteristics TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VRSM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 75 V VRRM Repetitive Peak Reverse Voltage 75 V I FRM Repetitive Peak Forward Current 300 mA TJ Operating Junction Temperature Range -55 to +150 °C TSTG Storage Temperature Range -55 to +150 °C Symbol Parameter Value Units PD Power Dissipation (TC=25°C) 200 mW RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 500 °C/W Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units BVR Breakdown Voltage IR = 100 μA IR = 5 μA 100 75 V IR Reverse Current VR = 20 V VR = 75 V 25 5 nA μA VF Forward Voltage 1N4148WT 1N4448WT/ 914BWT 1N4448WT/ 914BWT IF = 5 mA IF = 10 mA IF = 100 mA 0.62 0.72 1 1 V CO Diode Capacitance VR = 0, f = 1 MHz 4 pF TRR Reverse Recovery Time I F = 10 mA, VR = 6.0 V I RR = 1 mA, RL = 100 Ω 4nS SOD-523F Band Indicates Cathode Device Marking Code Device Type Device Marking 1N4148WT E1 1N4448WT E2 1N914BWT E3 Cathode ELECTRICAL SYMBOL Anode |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N4454 | DIODE HI CONDUCTANCE 50V DO-35 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4448W-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| 1N4448W-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| 1N4448W-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 150mA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4448WTR | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4448W-V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Fast Switching Diode |
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