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参数资料
| 型号： | 1N4449BK |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | 1N4449BK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4864TR-RECU | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N914TR-RECU | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N649TR | 0.4 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1N87ATR | 0.05 A, 23 V, GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1.5CE15ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4450 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N4451 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N4452 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:silicon diode |
| 1N4453 | 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全称:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |
| 1N4454 | 功能描述:整流器 Vr/75V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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