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参数资料
| 型号： | 1N4530 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 40 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| 封装： | METAL, DO-5, 1 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | 1N4530 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N250B | 20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N251A | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1N663 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1N662 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1N251 | 0.075 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4531 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SWITING 75V 0.125A 2PIN DO-34 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY |
| 1N4531 T/R | 功能描述:整流器 DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4531,113 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4531,133 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Fast Recovery Rectif 75V 0.2A 2Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4531,143 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Diode Fast Recovery Rectif 75V 0.2A 2Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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