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参数资料
| 型号： | 1N457/A |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 1N457/A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N458/A | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N6262 | 85 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| 1N6263-AR2 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35 |
| 1N6267CATR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KE6.8CTR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N457A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SMALL SIGNAL DIODE, 70V 200mA DO-35 |
| 1N457A_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:QUAD 2 INPUT NAND GATE (S.O.) - Bulk |
| 1N457A_Q | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N457A_T50R | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N457ATR | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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