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参数资料
| 型号： | 1N458A_T50R |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 27K |
| 描述： | DIODE HI CONDUCTANCE 150V DO-35 |
| 标准包装： | 30,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 100mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 25µA @ 125V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-35 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1N458A, Rev. A1
1N458A
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
TA
= 25
°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 150 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 500 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 150 V
VF
Forward Voltage IF
= 100mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 125V
25
nA
VR
= 125V, T
A
= 150
°C
5
μA
1N458A
DO-35
COLOR BAND DENOTES CATHODE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67602S150BQ8 | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
| HR-3U-2500L5X2 | BATT PACK 12.0V AA BUTTON NIMH |
| VI-242-EV-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 150W |
| 1N457A_T50R | DIODE HI CONDUCTANCE 70V DO-35 |
| IDT71V67602S150BQ | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 165FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N458ATR | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| 1N459 | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N459 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO |
| 1N459_T50R | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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