参数资料
型号: 1N4737A-B
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数: 3/3页
文件大小: 141K
代理商: 1N4737A-B
相关PDF资料
PDF描述
1N4740A-T/B 10 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N4745A-T/B 16 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N4001R-T/B 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4007-T/B 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
11DF4-B 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4737ADO41E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO-41 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N4737AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:5,000
1N4737AG 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:VOLTAGE 3.3 ~ 56 V, 1 W Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
1N4737A-G 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SILICON ZENER DIODE
1N4737A-G _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: