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参数资料
| 型号： | 1N4750A-T |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 437K |
| 代理商： | 1N4750A-T |
DS18007 Rev. 16 - 2
4 of 4
1N4728A - 1N4761A
www.diodes.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4750A-T50A | 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 20.6V 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 基本零件编号:1N4750 标准包装:1 |
| 1N4750ATA | 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 12.2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 标准包装:1 |
| 1N4750A-TAP | 功能描述:稳压二极管 27 Volt 1.3 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4750A-TP | 功能描述:稳压二极管 1.0W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4750ATR | 功能描述:稳压二极管 27V 1W ZENER 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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