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参数资料
| 型号： | 1N4756ABK |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | 1N4756ABK |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4762ABK | 82 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
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| 1N5588BBK | 110 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N5589BTR | 120 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4756AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 47V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 47V 5% DO41 |
| 1N4756A-G _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4756A-G_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4756AHA0G | 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:3,000 |
| 1N4756AHB0G | 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 35.8V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,000 |
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