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参数资料
| 型号： | 1N4757/E1 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 51 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封装： | DO-204AL, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 1N4757/E1 |
1N4728 thru 1N4764
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88304
www.vishay.com
25-Jul-02
1
Zener Diodes
VZ Range 3.3 to 100V
Power Dissipation 1.0W
m
in.
1.1
02
(
28.0)
mi
n.
1.102
(
2
8
.0)
max
..161
(4.1)
max.
Cathode
0.034 (0.86)
Mark
max. 0.102 (2.6)
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Zener Current
See Next Page
Power Dissipation at Tamb = 50°C
PD
1.0(1)
W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
RθJA
170(1)
°C/W
Junction Temperature
TJ
200
°C
Storage Temperature Range
TS
–65 to +200
°C
Note: (1) Valid provided that electrodes at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
DO-204AL
(DO-41 Glass)
Dimensions in inches
and (millimeters)
Features
Silicon Planar Power Zener Diodes
For use in stabilizing and clipping circuits with high
power rating.
Standard Zener voltage tolerance is ±10%. Add suffix
“A” for ±5% tolerance. Other Zener voltages and toler-
ances are available upon request.
These diodes are also available in the MELF case with
type designation ZM4728 thru ZM4764
For bidirectional product, contact local Technical Sales
office.
Mechanical Data
Case: DO-41 Glass Case
Weight: approx. 0.0123 oz., 0.35 g
Packaging Codes/Options:
D9/5K per 13" reel (52mm tape), 10K/box
E1/5K per Ammo mag. (52mm tape), 10K/box
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4761/D9 | 75 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4743AT | 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4746A | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4750A | 27 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4756A-G | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4757E3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 51V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 51V 10% DO41 |
| 1N4757G | 功能描述:稳压二极管 1W,51V,5%,ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N4757G A0G | 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:3,000 |
| 1N4757G R0G | 功能描述:DIODE ZENER 51V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:95 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 38.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TA） 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:5,000 |
| 1N4757P/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 51V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 51V 10% DO41 |
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