参数资料
型号: 1N4760DBK
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 68 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
文件页数: 1/1页
文件大小: 100K
代理商: 1N4760DBK
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相关PDF资料
PDF描述
1N5243CBK 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5262CTR 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1.5SMCJ130ATRF 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
1.5SMCJ170TRF 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
1.5SMCJ85CTRF 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4760E3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 68V 10% DO41
1N4760P/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 68V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 68V 10% DO41
1N4760P/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 68V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 68V 10% DO41
1N4760PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 51.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000
1N4760PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 68V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):68V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 51.7V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500