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参数资料
| 型号： | 1N4933GPAMP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | 1N4933GPAMP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4934GPAMP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4935GPAMP | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4936GPAMP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4936GPTR | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4937GPAMP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4933GP-E3/23 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 50 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4933GP-E3/4 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 50 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4933GP-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 50 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4933GP-E3/73 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 50 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N4933GP-HE3/4 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-204AL T/R |
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