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参数资料
型号： 1N4934GL-T
厂商： Diodes Inc
文件页数： 1/3页
文件大小： 79K
描述： DIODE FAST REC 1A 100V A-405
标准包装： 5,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 100V
电流 - 平均整流 (Io)： 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.2V @ 1A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)： 200ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 5µA @ 100V
安装类型： 通孔
封装/外壳： DO-204AL，DO-41，轴向
供应商设备封装： DO-41
包装： 带卷 (TR)
DS27002 Rev. 7 - 2
1 of 3
www.diodes.com
1N4933G - 1N4937G
? Diodes Incorporated
1N4933G - 1N4937G
1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
?
Glass Passivated Die Construction
?
Diffused Junction
?
Fast Switching for High Efficiency
?
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
?
Surge Overload Rating to 30A Peak
?
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)
Mechanical Data
?
Case: DO-41
?
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability Classification
Rating 94V-0
?
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
?
Terminals: Finish - Bright Ti
n. Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
?
Polarity: Cathode Band
?
Ordering Information: See Page 3
?
Marking: Type Number
?
Weight: 0.35 grams (approximate)
Dim
DO-41
Min
Max
A
25.40
?
B
4.06
5.21
C
0.71
0.864
D
2.00
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
1N4933G
1N4934G
1N4935G
1N4936G
1N4937G
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35
70
140
280
420
V
Average Rectified Output Current (Note 1) @ TA
= 75
°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
IFSM
30
A
Forward Voltage @ IF
= 1.0A
VFM
1.2
V
Peak Reverse Current @ TA
= 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage @ TA
= 100
°C
IRM
5.0
100
μA
Reverse Recovery Time (Note 3)
trr
200
ns
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
15
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
RθJA
100
K/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +150
°C
Notes: 1. Valid provided that leads are maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Measured with IF
0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A.
4. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.
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PDF描述
1N4935 DIODE FAST 200V 1A DO-41
1N4937L RECTIFIER FAST RECVRY 1.0A A-405
1N4937 DIODE FAST REC 1A 600V DO-41
1N4942GP-E3/54 DIODE GPP 1A 200V DO-204AL
1N5395G-T DIODE STD REC 1.5A 400V DO-15
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4934GP 功能描述:整流器 1.0a Rectifier Fast Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N4934GP/1 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4934GP/23 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4934GP/4 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4934GP/54 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Vr/100V Io/1A BULK GLASS PASSIVATED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
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