参数资料
型号: 1N4934GL
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数: 1/4页
文件大小: 128K
代理商: 1N4934GL
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PDF描述
1N4933GP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4935GP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4934GP 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4933 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4934 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
相关代理商/技术参数
参数描述
1N4934GL-T 功能描述:整流器 1.0A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N4934GP 功能描述:整流器 1.0a Rectifier Fast Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N4934GP/1 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4934GP/23 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N4934GP/4 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube