参数资料
型号: 1N4935G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 43K
描述: DIODE FAST REC 1A 200V DO-41
产品目录绘图: Rectifier DO-41 Pkg
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.2V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 300ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-41
包装: 散装
产品目录页面: 1566 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 1N4935G-ND
1N4935GOS
1N4933, 1N4934, 1N4935, 1N4936, 1N4937
http://onsemi.com
3
Figure 3. Typical Capacitance
1
0 20 40 60 80 100
120 140 180 200160
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
10
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
Figure 4. Current Derating
0
0 20 40 60 80 100
160
TA, AMBIENT TEMPERATURE (C)
1.8
120 140
I
O
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
JA
= 65
°C/W
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
DC
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1N4933
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*This package is inherently Pb?Free.
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PDF描述
1N4937G DIODE FAST REC 1A 600V DO-41
GBC07DRAN CONN EDGECARD 14POS R/A .100 SLD
GBC07DRAH CONN EDGECARD 14POS R/A .100 SLD
GBC15DCSN CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
EGP30D DIODE FAST GPP 3A 200V DO-201AD
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参数描述
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1N4935G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
1N4935G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 T/R
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1N4935G R1G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:10pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000