- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录298180 > 1N4936-E3/73 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N4936-E3/73 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1N4936-E3/73 |
Document Number: 88508
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
Revision: 27-Oct-09
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
Fast Switching Plastic Rectifier
1N4933 thru 1N4937
Vishay General Semiconductor
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
Compliant
to
RoHS
directive
2002/95/EC
and
in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer
and telecommunication.
Note
These devices are not AEC-Q101 qualified.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL, molded epoxy body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte
tin
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
1.0 A
VRRM
50 V to 600 V
IFSM
30 A
trr
200 ns
IR
5.0 μA
VF
1.2 V
TJ max.
150 °C
DO-204AL (DO-41)
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
UNIT
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
145
280
420
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
V
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at TA= 75 °C
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
30
A
Maximum reverse recovery current
IRM
2.0
A
Operating junction and storage temperature range
TJ, TSTG
- 50 to + 150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage
1.0 A
VF
1.2
V
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
TA= 25 °C
IR
5.0
μA
TA= 100 °C
100
Maximum reverse recovery time
IF = 1.0 A, VR = 30 V,
dI/dt = 50 A/μs, Irr = 10 % IRM
trr
200
ns
Typical junction capacitance
4.0 V, 1 MHz
CJ
12
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4937-E3/54 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4942GP-E3 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4942GP/73 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4942GP/4E | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4942GP/71 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N4936G | 功能描述:整流器 400V 1A Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N4936G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 |
| 1N4936G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| 1N4936G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
| 1N4936G R1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。