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参数资料
| 型号： | 1N4936 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 43K |
| 描述： | DIODE FAST REC 1A 400V DO-41 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 300ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 400V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-41 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | 1N4936OS |
1N4933, 1N4934, 1N4935, 1N4936, 1N4937
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
(Note 1)
Rating
Symbol
1N4933
1N4934
1N4935
1N4936
1N4937
Unit
?Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
V
?Non?Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
VRSM
VR(RMS)
75
35
150
70
250
140
450
280
650
420
V
?Average Rectified Forward Current
(Single phase, resistive load, TA
= 75
°C) (Note 2)
IO
1.0
A
?Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions)
IFSM
30
A
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
TJ,
Tstg
? 65 to +150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
2. Derate by 20% for capacitive loads.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient (Typical Printed Circuit Board Mounting)
RJA
65
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Instantaneous Forward Voltage (IF
= 3.14 Amp, T
J
= 150
°C)
vF
?
1.0
1.2
V
Forward Voltage (IF
= 1.0 Amp, T
A
= 25
°C)
VF
?
1.05
1.2
V
?Reverse Current (Rated DC Voltage) TA
= 25
°C
TA
= 100
°C
IR
?
?
1.0
50
5.0
100
A
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS?
Reverse Recovery Time (IF
= 1.0 Amp to V
R
= 30 Vdc)
(IFM
= 15 Amp, di/dt = 10 A/
s)
trr
?
?
150
175
200
300
ns
Reverse Recovery Current (IF
= 1.0 Amp to V
R
= 30 Vdc)
IRM(REC)
?
1.0
2.0
A
?Indicates JEDEC Registered Data for 1N4933 Series.
1
0.1
0.4 0.6
0.8 1.41
1.2
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current
10
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
TC
= 100
°C
1.0E?08
0 100 200 300 400 500
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
600
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
TC
= 25
°C
TC
= 150
°C
TC
= 100
°C
1.0E?07
1.0E?06
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
TC
= 125
°C
TC
= 125
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-BTX-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 150W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N4936 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:- 标准包装:2,000 |
| 1N4936 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 |
| 1N4936 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FAST RECOVERY POWER DIODE ROHS COMPLIANT 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE FAST RECOVERY 1A 400V |
| 1N4936/1 | 功能描述:整流器 Vr/400V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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