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参数资料
| 型号： | 1N5060 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | Controlled avalanche rectifiers |
| 中文描述： | 0.8 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 1N5060 |
1996 Jun 19
2
Philips Semiconductors
Product specication
Controlled avalanche rectiers
FEATURES
Glass passivated
High maximum operating
temperature
Low leakage current
Excellent stability
Guaranteed avalanche energy
absorption capability
Available in ammo-pack.
DESCRIPTION
Rugged glass package, using a high
temperature alloyed construction.
This package is hermetically sealed
and fatigue free as coefficients of
expansion of all used parts are
matched.
Fig.1 Simplified outline (SOD57) and symbol.
2/3 page (Datasheet)
MAM047
ka
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VRRM
repetitive peak reverse voltage
200
V
400
V
600
V
800
V
VRWM
crest working reverse voltage
200
V
400
V
600
V
800
V
VR
continuous reverse voltage
200
V
400
V
600
V
800
V
IF(AV)
average forward current
Ttp =45 °C;
lead length = 10 mm;
averaged over any 20 ms
period; see Figs 2 and 4
2.0
A
Tamb =80 °C; PCB mounting
(see Fig.9); averaged over any
20 ms period; see Figs 3 and 4
0.8
A
IFSM
non-repetitive peak forward current
t = 10 ms half sinewave
50
A
ERSM
non-repetitive peak reverse avalanche
energy
L = 120 mH; Tj =Tj max prior to
surge; inductive load switched off
20
mJ
Tstg
storage temperature
65
+175
°C
Tj
junction temperature
see Fig.5
65
+175
°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 1N5060 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE 2A 400V |
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| 1N5060GP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
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