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参数资料
| 型号： | 1N5062GP/4E |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封装： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | 1N5062GP/4E |
1N5059GP thru 1N5062GP
Document Number 88513
17-Oct-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
20
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
0
0.01
0.1
1
10
60
80
100
20
40
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
1
10
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
t - Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
Dia.
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
Dia.
0.230 (5.8)
0.300 (7.6)
1.0 (25.4)
min.
1.0 (25.4)
min.
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