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参数资料
| 型号： | 1N5155A |
| 元件分类： | 阶跃恢复二极管 |
| 英文描述： | X BAND, 6 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 1N5155A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5155 | X BAND, 6 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| 1N5156 | X BAND, 10 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| 1N5149 | X BAND, 1 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| 1N5150 | X BAND, 1 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| 1N5186TR | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5162 | 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor |
| 1N5171 | 制造商:GI 功能描述: |
| 1N5175 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1N5177W | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:SMALL SIGNAL DIODES |
| 1N5178 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:FAST RECTIFIER |
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