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参数资料
| 型号： | 1N5226B153 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 1N5226B153 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1SS82TA | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1SS83RF | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N914AT50A | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N458T26A | 0.2 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N458T26R | 0.2 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5226B-A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:ZENER SGL 3.3V 5% 500MW 2PIN DO-35 AMMO - Ammo Pack |
| 1N5226B-B | 功能描述:稳压二极管 0.5W 3.3V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5226B-G | 功能描述:稳压二极管 VR=3.3V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5226B-LCC3 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE IN HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 1N5226-BP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:500 mW Zener Diode 2.4 to 75 Volts |
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