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参数资料
| 型号： | 1N5226B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 1N5226B |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (1N5221B THRU 1N5263B)
Figure 1. Thermal Resistance vs. Lead Length
Figure 2. Typical Change of Working Voltage under Operating
Conditions at Tamb = 25 °C
95 9611
0
5
10
15
0
100
200
300
400
500
20
ll
R
thJ
A
-
Ther
m.
Resist.
J
u
nction
Am
b
ient
(K/
W
)
I - Lead Length (mm)
T
L = constant
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
-
V
oltage
Change
(m
V
)
V
Z - Z-Voltage (V)
25
95 9598
T
j = 25 °C
I
Z = 5 mA
0
5
Figure 3. Typical Change of Working Voltage vs. Junction
Temperature
Figure 4. Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
- 60
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Ztn
-
Relati
v
e
V
oltage
Change
T
j - Junction Temperature (°C)
240
95 9599
0
V
Ztn = VZt/VZ (25 °C)
0
TK
VZ = 10 x 10
-4/K
8 x 10-4/K
2 x 10-4/K
6 x 10-4/K
4 x 10-4/K
- 4 x 10-4/K
- 2 x 10-4/K
0
120
160
0
100
300
400
500
600
P
tot
-
Total
Po
w
er
Dissipation
(m
W
)
T
amb - Ambient Temperature (°C)
200
95 9602
200
80
40
Version: A07
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PDF描述 |
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