参数资料
型号: 1N5226C-1E3
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 3.3 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封装: ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 192K
代理商: 1N5226C-1E3
500 mW GLASS AXIAL-LEAD
ZENER DIODES
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5221 thru 1N5281B, e3 DO-35
1N5
221
1
N
5
281
B,e3
DO-35
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2005
8-09-2005 REV D
TL Lead Temperature at 3/8” From Body
or TA on FR4 PC Board
FIGURE 1
POWER DERATING CURVE
FIGURE 2
CAPACITANCE vs. ZENER VOLTAGE
(TYPICAL)
Pd,
Rated
Pow
e
rDissipation
(mW)
PACKAGE DIMENSIONS
All dimensions in INCH
mm
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料
PDF描述
1N5264B-1E3 60 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5270BUR-1E3 91 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
1N5272B-1E3 110 V, 0.48 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N6272AE3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6289E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5226C-TAP 功能描述:稳压二极管 3.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5226C-TR 功能描述:稳压二极管 3.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5226D 制造商:Motorola Inc 功能描述:
1N5226TA 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):28 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000
1N5226-TP 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:500 mW Zener Diode 2.4 to 75 Volts