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参数资料
| 型号： | 1N5229C(DO-35) |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 967K |
| 代理商： | 1N5229C(DO-35) |
1N5221
THRU
1N5267
500 mW
Zener Diode
2.4 to 75 Volts
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +200°C
Storage Temperature: -65
°C to +200°C
500 mWatt DC Power Dissipation
Power Derating: 4.0mW/
°C above 50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 Volts
Figure 2 - Derating Curve
Power Dissipation (mW) - Versus - Temperature
°C
Temperature
°C
25
100
150
200
mW
200
400
Typical Capacitance (pf) – versus – Zener voltage (VZ)
Figure 1 - Typical Capacitance
0
100
200
1
10
100
pf
VZ
At zero volts
At –2 Volts VR
Features
Wide Voltage Range Available
Glass Package
High Temp Soldering: 250
°C for 10 Seconds At Terminals
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
DO-35
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
.166
---
4.2
B
---
.079
---
2.00
C
---
.020
---
.52
D
1.000
---
25.40
---
A
B
C
D
Cathode
Mark
www.mccsemi.com
Revision: 1
2003/12/19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5229D(DO-35) | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5230D(DO-35) | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5232B(DO-35) | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5235B(DO-35) | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5237A(DO-35) | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5229C-TAP | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5229C-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 4.3V 2% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N5229C-TR | 功能描述:稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5229DO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5229TA | 功能描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.3V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 950mV 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
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