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参数资料
| 型号： | 1N5230BTA-E |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 1N5230BTA-E |
1N5223B through 1N5258B
Rev.2,Dec. 2001, page 5 of 7
Ammo Pack Taping (TA TYPE)
g
f
a
b
c
d
e
f
g
h
| L1–L2 |
JEITA CODE
64.0 ± 1.5
52.4 ± 1.2
6.0 ± 0.5
± 0.5
3.2 min
5.00 ± 0.38
± 1.0
1.0max
TA21 (R)
h
White tape
Colored tape
b/2
d
e
c
L2
L1
b
a
Unit: mm
Taping appearance
( ):Reference only.
QCountry of Origin
Japan
→JAPAN
(
Q'→MADE IN JAPAN)
Malaysia
→MALAYSIA
(
Q'→MALAYSIA)
RLot No..
SQuantity
TProduct Name
UManagement No.
(Year,Month and Weekly code)
Box
HITACHI
1N5223BTA
5000PCS
G90109G
MADE IN JAPAN
(75)
(255)
(80)
Unit: mm
W/C:9A3 LOT:G90109G
QTY:5000
S
R
T
JAPAN
Q
U
Q'
INT.C:1N5223BTA
S
R
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1PMT4128E3 | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
| 1PMT4619CE3 | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5230B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5230BTR | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5230B-TR | 功能描述:稳压二极管 4.7 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5230BTR_Q | 功能描述:稳压二极管 4.7V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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