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参数资料
| 型号： | 1N5231B |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | DO-35, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 1N5231B |
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
D Very sharp reverse characteristic
D Very high stability
D Low reverse current level
D VZ–tolerance ± 5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
TLx75°C
PV
500
mW
Z–current
IZ
PV/VZ
mA
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature range
Tstg
–65...+200
°C
Maximum Thermal Resistance
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Symbol
Value
Unit
Junction ambient
l=9.5mm (3/8”), TL=constant
RthJA
300
K/W
Electrical Characteristics
Tj = 25_C
Parameter
Test Conditions
Type
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
IF=200mA
VF
1.1
V
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PDF描述 |
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| 1N4705 | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5231B BK | 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
| 1N5231B TR | 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
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