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参数资料
| 型号： | 1N5232BT-72 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 1N5232BT-72 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N3740R | 275 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB |
| 1N5144A | 22 pF, 60 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
| 1N967 | 18 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
| 1N5254A | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1.5KE18C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5232BTA | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 1N5232B-TAP | 功能描述:稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5232B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 5.6V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5232BTR | 功能描述:稳压二极管 5.6V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5232B-TR | 功能描述:稳压二极管 5.6 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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