参数资料
型号: 1N5232C-35B
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装: ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
文件页数: 3/3页
文件大小: 87K
代理商: 1N5232C-35B
PAGE . 3
STAD-NOV.08.2006
Vz (V)
2.7
3.9
4.3
4.7 5.1 5.6
6.2
6.8
9.1
11
12
15
20
24
5
10
15
20
25
0
Iz
(mA)
10
20
30
40
50
30
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
D
ISSIP
A
TION,
m
W
a
tts
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Test Current
Iz=20mA
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
相关PDF资料
PDF描述
1N5232D-35T/R 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5232D-35 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5233-35T/B 6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5233B-35B 6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5233B-35T/B 6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5232CRL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
1N5232C-TAP 功能描述:稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5232C-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:500 MW DO-35 5.6 V 5 % TolerenceThrough-Hole Zener Diode
1N5232C-TR 功能描述:稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5232D 制造商:ONS 功能描述:ON SEMICONDUCTOR S7D9A