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参数资料
| 型号： | 1N5236BT26R |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 1N5236BT26R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1.5KE100CA.TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE200.TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE33A.TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE43 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5KE7.5A.TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5236BTA | 制造商:TAK Cheong Electronics(Holding) Co Ltd 功能描述:7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5236BTA2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Zener Single 7.5V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
| 1N5236B-TAP | 功能描述:稳压二极管 7.5 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5236B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 7.5V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5236BTR | 功能描述:稳压二极管 7.5V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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