参数资料
型号: 1N5237B
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装: PLASTIC, DO-35, 2 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 29K
代理商: 1N5237B
DS18006 Rev. H-2
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1N5221B - 1N5267B
1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 1)
Pd
500
mW
Zener Current (Note 1)
IZ
Pd/VZ
mA
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RθJA
300
K/W
Forward Voltage
@ IF = 200mA
VF
1.5
V
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +175
°C
Case: DO-35, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.13 grams (approx.)
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Surface Mount Equivalents Available
Hemetic Package
Mechanical Data
A
B
C
D
DO-35
Dim
Min
Max
A
25.40
B
4.00
C
0.60
D
2.00
All Dimensions in mm
Notes:
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
2. Based on dc measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5mm (3/8”); thermal resistance of heat sink = 30K/W.
POWER SEMICONDUCTOR
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