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参数资料
| 型号： | 1N5240B136 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 1N5240B136 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 160MT100KB | 3 PHASE, 160 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1N457.TR | 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N827A116 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
| 1N748AT50R | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N959B.TR | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5240B-A | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Diode Zener Single 10V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:1N5240B-A - Bulk |
| 1N5240B-B | 功能描述:稳压二极管 0.5W 10V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5240BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 |
| 1N5240BRL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Zener Single 10V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 1N5240B-T | 功能描述:稳压二极管 500MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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