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参数资料
| 型号： | 1N5243BT50R |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 1N5243BT50R |
1N5226B
-
1N5257B
Series
1N5226B - 1N5257B Series Half Watt Zeners
Device
VZ
(V)
ZZ
(
)
IZT
(mA)
ZZK
(
)
IZK
(mA)
VR
(V)
IR
(
A)
TC
(%/
°C)
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
3.3
3.6
3.9
4.3
28
24
23
22
20
1,600
1,700
1,900
2,000
0.25
1.0
25
15
10
5.0
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
4.7
5.1
5.6
6.0
19
17
11
7.0
20
1,900
1,600
0.25
2.0
3.0
3.5
5.0
+/- 0.03
+/- 0.3
0.038
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
7.0
5.0
6.0
8.0
20
1,000
750
500
600
0.25
4.0
5.0
6.0
6.5
5.0
3.0
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
9.1
10
11
12
10
17
22
30
20
600
0.25
7.0
8.0
8.4
9.1
3.0
2.0
1.0
0.068
0.075
0.076
0.077
VF Foward Voltage = 1.1 V Maximum @ IF = 200 mA for all 1N5200 series
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
**Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 55 degrees C.
@
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
-65 to +200
°C
Maximum Junction Operating Temperature
+ 200
°C
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
+ 230
°C
Total Device Dissipation
Derate above 75
°C
500
4.0
mW
mW/
°C
Surge Power**
10
W
NOTE: National preferred devices in BOLD
DO-35
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5200B Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5249AE3(DO7) | 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7 |
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| MLL5539B | 19 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
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| 1N5255BP | 28 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 1N5243B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5243BTR | 功能描述:稳压二极管 13V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5243B-TR | 功能描述:稳压二极管 13 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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