参数资料
型号: 1N5250B
厂商: Comchip Technology Co., Ltd.
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述: 250 的低电流运算,低反向泄露,低噪声稳压二极管
文件页数: 1/7页
文件大小: 37K
代理商: 1N5250B
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of April 1992
1996 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1N5225B to 1N5267B
Voltage regulator diodes
M3D176
相关PDF资料
PDF描述
1N5260B Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
120623-1 Ultra ATA
1-208101-1 Hardware (AMPLIMITE)
1217000-1 MAG–MATE Terminals
1217002-1 Quick Disconnect Tabs, Tab Adapters & Tab Caps
相关代理商/技术参数
参数描述
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1N5250B _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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1N5250B BK 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 15V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N5250B TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 14V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1