型号: | 1N5252BD2B-JQRS.CVB |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC2 VARIANT B, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 187K |
代理商: | 1N5252BD2B-JQRS.CVB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5252BD2B-JQRS.GRPB | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5253BD2A-JQRS | 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5254BD2A.GRPB | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5257BD2B-JQRS.GRPC | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5259BD2A-JQRS.CVB | 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N5252BDO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
1N5252BRL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Zener Single 24V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
1N5252BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5252B-T | 功能描述:稳压二极管 0.5W 24V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5252BT-73 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |