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参数资料
| 型号： | 1N5256B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | DO-35, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 1N5256B |
1N5223B through 1N5258B
Rev.2, Dec. 2001, page 2 of 7
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
500
mW
Surge power dissipation
Pd(surge) *
1
10
W
Lead temperature
T
L *
2
230
°C
Junction temperature
Tj *
3
200
°C
Storage temperature
Tstg
–65 to +200
°C
Notes: 1. Non-recurrent square wave, pw = 8.3 ms, Tj = 55°C, Tj is prior to surge.
2. Less than 1/16" from the case for 10 seconds.
3. By standard printed board, see fig 2.
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
V
Z (V)
I
R (
A)
Z
ZT (
)Z
ZK (
)
γγγγ
Z (%
%
%/°°°°C) *1 V
F*
2 (V)
Test
Condition
Test
Condition
Test
Condition
Test
Condition
I
Z (mA)
Max
V
R (V)
Max
I
ZT (mA)
Max
I
ZK (mA)
Max
1N5223B 2.7 ± 5 (%) 20
75
1.0
30
20
1300
0.25
-0.08
1.1
1N5224B 2.8 ± 5 (%) 20
75
1.0
30
20
1400
0.25
-0.08
1.1
1N5225B 3.0 ± 5 (%) 20
50
1.0
29
20
1600
0.25
-0.075
1.1
1N5226B 3.3 ± 5 (%) 20
25
1.0
28
20
1600
0.25
-0.07
1.1
1N5227B 3.6 ± 5 (%) 20
15
1.0
24
20
1700
0.25
-0.065
1.1
1N5228B 3.9 ± 5 (%) 20
10
1.0
23
20
1900
0.25
-0.06
1.1
1N5229B 4.3 ± 5 (%) 20
5
1.0
22
20
2000
0.25
±0.055
1.1
1N5230B 4.7 ± 5 (%) 20
5
2.0
19
20
1900
0.25
±0.03
1.1
1N5231B 5.1 ± 5 (%) 20
5
2.0
17
20
1600
0.25
±0.03
1.1
1N5232B 5.6 ± 5 (%) 20
5
3.0
11
20
1600
0.25
+0.038
1.1
1N5233B 6.0 ± 5 (%) 20
5
3.5
7
20
1600
0.25
+0.038
1.1
1N5234B 6.2 ± 5 (%) 20
5
4.0
7
20
1000
0.25
+0.045
1.1
1N5235B 6.8 ± 5 (%) 20
3
5.0
5
20
750
0.25
+0.05
1.1
1N5236B 7.5 ± 5 (%) 20
3
6.0
6
20
500
0.25
+0.058
1.1
1N5237B 8.2 ± 5 (%) 20
3
6.5
8
20
500
0.25
+0.062
1.1
1N5238B 8.7 ± 5 (%) 20
3
6.5
8
20
600
0.25
+0.065
1.1
Notes: 1. 1N5223 to 1N5242: I
Z = 7.5 mA, 1N5243 to 1N5258: IZ = IZ,, Ta = 25°C to 125°C
2. Tested with DC, I
F = 200 mA
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