型号: | 1N5256BT26R |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 51K |
代理商: | 1N5256BT26R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5256BT50R | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N5257B.TR | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N5257BT26A | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N5257BT26R | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
1N5236B.TR | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5256BTA | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):49 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
1N5256B-TAP | 功能描述:稳压二极管 30 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5256B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5256BTR | 功能描述:稳压二极管 30V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5256B-TR | 功能描述:稳压二极管 30 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |